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| ソニーセミコンダクタ(株) 長崎テクノロジーセンター |
設備投資額は800億円で、このうち2012年度の実施予定分は450億円となる。
今回の設備投資では、積層型CMOSイメージセンサーのウェーハ加工用の新規生産設備、CMOSイメージセンサーが生産できるウェーハライン増強などに充てられる。
記事中でいう積層型CMOSイメージセンサーは裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせた、積層構造のCMOSイメージセンサーのこと。
同社によれば、イメージセンサーのチップサイズの小型化とともに大規模な回路の搭載が可能となり、デジタルカメラやモバイル機器のさらなる高画質化・高機能化・小型化を同時に実現することができるという。
設備投資によって、ソニーのCCDとCMOSイメージセンサーの純生産能力は2013年9月末時点で約60,000枚/月になる。
ソニーの裏面照射型CMOSイメージセンサーは他社のスマートフォンなどにも採用が進み、現在需要が増している。さらに、スマートフォン、タブレットなどの市場は現在急拡大中であり、質の高いCMOSイメージセンサーへの全体的な需要も増している。
その中にあってソニーは、CMOSイメージセンサーのリーディングポジションを確たるものとすることを目指している。
【情報元、参考リンク】
ソニー/プレスリリース
